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製品情報

四重極型二次イオン質量分析装置 (D-SIMS)
PHI ADEPT-1010

二次イオン質量分析法 ( SIMS: Secondary Ion Mass Spectrometry ) は試料にイオンを照射し、試料から放出される二次イオンを質量分析することによって、深さ方向の元素分布を高感度におこなう手法です。
ADEPT-1010は、四重極型質量分析器を持ち、半導体などの浅く打ち込まれたドーパントの分析や薄膜多層膜の分析に適した装置です。高輝度低エネルギーフローティングイオン銃の採用により極表面の深さ方向分析を高感度、高速分析で行うことが可能です。



特長

〜250 eV/Oxygen atomの一次イオンビーム照射により、究極の深さ方向分解能を達成
高透過率の二次イオン光学系により、ダイナミックレンジならびに検出下限を大幅に改善
全自動 5軸フルオートステージの採用により、任意の設定による自動分析が可能
垂直入射から斜め入射 ( 酸素リーク ) まで高感度測定が可能

仕様

酸素ビーム 感度:2×107cps
ビーム電圧:0.25〜8kV
セシウムビーム 感度:2×107cps
ビーム電圧:0.25〜11kV
到達圧力 1.2×10-8Pa以下

 

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