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製品情報

SOPHI-400

成膜関連装置イオン注入装置

Max2400KeVまで対応可能な高エネルギーのイオン注入装置です。

用途

  • パワーデバイス等の薄型基板プロセス、IGBTプロセス

特長

  • 枚葉式
  • 薄Wafer対応
  • パラレルビーム

仕様

  • 基板サイズ：Max200mm
  • 最大電圧：2400 keV

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