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製品情報

中電流型イオン注入装置
SOPHI-200/260

中電流型イオン注入装置SOPHI-200/260は、最新技術を搭載した8、6、5インチのイオン注入装置です。サンプリングをお受けしています。



用途

  • 半導体、電子部品
  • パワーデバイス等の薄型基板プロセス、SiCプロセス
  • R&D

特長

  • 先端技術を搭載した、究極のパラレルビームイオン注入装置です。
    低価格、低ランニングコスト
    小型軽量
    極薄型ウエハ直接搬送可能

仕様

項目 SOPHI-200 SOPHI-260
エネルギー範囲 3〜200keV 3〜260keV
ビーム平行度 0.2°以下
均一性 0.5%以下
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