真空機器の国内総合商社 真空機器はアルバック販売へ!
製品情報

R&D用スパッタ装置 QAM シリーズ

これまで培ったアルバックの豊富な成膜技術と経験をもとに、幅広く対応できる装置です。多様性・拡張性を持たせながら、小型化が実現しました。用途に合わせて、プロセスチャンバー・排気系を自由に組み合わせできます。



用途

あらゆる研究開発、材料開発等の小規模実験用途から要求される様々な機能に対して、アルバックの豊富な成膜技術と経験をもとに、幅広く対応できる低価格のR&D装置

特長

■実験・研究目的・ご予算に合わせてカスタマイズが可能
これまで培った技術・ノウハウをふんだんに取り込み増設できるユニットを構築
例えば、ベース機に各モジュールを増設することで、最終的には2モジュール(L/L室付き)の装置にすることが可能
また、レイアウトに合わせて機電一体型と制御モジュール分離型を選択可

■先進的機能と直感的な操作及び安全性を実現
・直感的操作で安心
・プロセスデータの分析ができ安心(データロギング:オプション)
・レシピ制御により再現性の良い成膜が可能
・生産機同等のインターロックで装置安定稼働

◇自動制御の様子を動画でご紹介◇

■低圧力プロセス
約1Pa~0.1Paまでの放電維持圧力範囲を持ち、従来より低圧力でのスパッタにより、緻密な成膜が可能

■多元同時/多積層膜スパッタ成膜
基板中心を各カソードが狙う構造のため、多元同時スパッタが可能
シャッタコントロールにより積層膜の作成が可能
また治具(オプション)を使用することで、静止対抗スパッタも可能

■磁性体薄膜への対応
各種磁性体材料(Fe,Ni,Co等)にも同一カソードで対応可能

■LTSの採用
LTS※1の採用によりカソード近傍の不均一プラズマの基板への影響を最小限に抑えることが可能
また、カソードマグネットの磁場の影響を最小限に抑えることが可能
注)※1:LTS:Long Throw Sputter

■UHV対応(QAM-4-Sのみ)
ベーカブル対応の各機器を使用することにより成膜室の到達圧力を1×10-6Pa※2以下に対応可能
注)※2:ダブルOリングシール構造(中間排気)を採用し、従来のメタルシールにより格段にメンテナンス性を向上

仕様

type QAM-4C
諸元 型式 QAM-4C-S QAM-4C-SL
成膜室 処理方法 バッチ式 ロードロック式
カソード方式 ロングスローマグネトロンスパッタリング
●ヘリコンスパッタ※1 ※オプション
カソード数 2インチカソード(磁性体、非磁性体共用)
Max.4台まで搭載可能
搭載電源 DC500W 1台
●DC500W、RF300W※2 を選択でき、Max.2台まで搭載可能 ※オプション
到達圧力 1×10-4Pa 以下
対応基板サイズ Max.φ4インチ×1枚
膜厚分布 ±5%以内(Al成膜時、基板回転併用)
基板加熱機構 ●ランプヒータ 常用400℃ ※オプション
排気系 1)ターボポンプ
2)ロータリーポンプ
●ドライポンプ ※オプション
最大ガス導入量 1)Max.50sccm(Ar)
2)Max.10sccm(O2
3)Max.10sccm(N2
ターゲットサイズ φ2インチ
チャンバーベーキング ●110℃ベーク(チャンバー水冷込) ※オプション
ロードロック室 到達圧力(ターボポンプ対応) 40Pa以下(1×10-3Pa 以下)
搬送方式 仕切り弁一体型
排気系 1)ロータリーポンプ(成膜室と兼用)
●ターボポンプ ※オプション
操作制御系 排気 タッチパネル(PLCコントロール) 遠隔手動※3 全自動※4
成膜
ユーティリティ 電気 3φAC200V 50/60Hz
冷却水 20~28℃、比抵抗5KΩ以上、供給圧力 0.2~0.3MPa
圧縮空気 0.5~0.7MPa
アース A種、D種

注)※1:ヘリコンスパッタは通称として使用しております。正式名称は誘導結合RFプラズマ支援マグネトロンスパッタです。
注)※2:ターゲットへの投入電力はDC最大150W、RF最大200Wとなります。ヘリコンスパッタ用RF電源はカソードと共用できません。
注)※3:タッチパネルからのマニュアル・セミオート動作
注)※4:タッチパネルで電力・時間等レシピ入力可能

type QAM-4
諸元 型式 QAM-4-S QAM-4-ST(S)
成膜室 処理方法 バッチ式 ロードロック式
カソード方式 ロングスローマグネトロンスパッタリング
●ヘリコンスパッタ※1 ※オプション
カソード数 2インチカソード(磁性体、非磁性体共用)
Max.4台/成膜室まで搭載可能
搭載電源 DC500W 1台
●DC500W、RF300W※2 を選択でき、Max.4台まで搭載可能 ※オプション
到達圧力 1×10-4Pa 以下 (1×10-6Pa 以下対応可※3
対応基板サイズ Max.φ4インチ×1枚
膜厚分布 ±5%以内(Al成膜時、基板回転併用)
基板加熱機構 ●ランプヒータ 常用400℃ ※オプション
●高温型ヒータ 常用700℃ ※オプション
排気系 1)ターボポンプ
2)ロータリーポンプ
●ドライポンプ ※オプション
最大ガス導入量 1)Max.50sccm(Ar)
2)Max.10sccm(O2
3)Max.10sccm(N2
ターゲットサイズ φ2インチ
チャンバーベーキング ●110℃ベーク(チャンバー水冷込) ※オプション
ロードロック室 到達圧力(ターボポンプ対応) 40Pa以下(1×10-3Pa 以下)
搬送方式 真空ロボット
排気系 1)ロータリーポンプ(成膜室と兼用)
●ターボポンプ ※オプション
操作制御系 排気 タッチパネル(PLCコントロール) 遠隔手動※4 全自動※5
成膜
ユーティリティ 電気 3φAC200V 50/60Hz
冷却水 20~28℃、比抵抗5KΩ以上、供給圧力 0.2~0.3MPa
圧縮空気 0.5~0.7MPa
アース A種、D種

注)※1:ヘリコンスパッタは通称として使用しております。正式名称は誘導結合RFプラズマ支援マグネトロンスパッタです。
注)※2:ターゲットへの投入電力はDC最大150W、RF最大200Wとなります。ヘリコンスパッタ用RF電源はカソードと共用できません。
注)※3:UHV仕様時、チタンゲッタポンプが搭載されます。
注)※4:タッチパネルからのマニュアル・セミオート動作
注)※5:タッチパネルで電力・時間等レシピ入力可能

■装置拡張例
型式:QAM-4-STS(2チャンバー仕様)

■その他オプション機器
・リニアシャッタ機構
・遠隔モニタ
・カセット室
・トランスファーベッセル
・ UHV対応 ※QAM-4-Sのみ
・データロギング機能(成膜条件・装置状態など)
・基板加熱(常用700℃)※QAM-4-Sのみ
・チャンバーベークヒーター
・RF電源及びDC電源(基板バイアス、基板クリーニング)※QAM-4-Sのみ
・各種材料及びパッキングプレート

Copyrights© 2014 ULVAC EQUIPMENT SALES, Inc. All Rights Reserved.