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製品情報

研究開発装置 性能評価サンプリング

スパッタリング法は、半導体や電子部品、ディスプレイの製造だけでなく、自動車部品や建材など幅広い分野で活用されている真空成膜法です。

本格生産に移行する前の研究開発現場では、小型のスパッタリング装置を使用し、基礎開発や各種条件出しを行っている例が多くみられます。

アルバックは、研究開発用スパッタリング装置に豊富な実績があります。成膜装置を導入せず、安価に性能評価をしたいというお客様のニーズに応え、税抜10万円~サンプリングサービスを開始いたしました。



超高真空薄膜形成装置特長

多種の材料(酸化物や金属)から成る複合薄膜を大気暴露することなく一貫して超高真空中で成膜できるシステムとなります。

搭載サンプル 最大φ100㎜/最小20㎜(不定形基板等はご相談ください)
スパッタ方式 マグネトロンスパッタ方式、デポアップ (RF200W、DC150W)
スパッタ源 2インチ(磁性、非磁性体兼用)×3 ※ヘリコンスパッタ対応1基含む、逆スパッタ可
ラジカル源 窒素ラジカル源×1
加熱温度 常温~700℃
到達真空度 6.7×10-Pa以下(プロセス室)、1.0×10-4Pa以下(搬送室)
排気系 ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ
チタンゲッタポンプ(プロセス室のみ)
操作方式 レシピによる全自動運転
プロセスガス Ar、O2、N2
成膜レート DC150W : 6.6nm/min(Al) , 3.4nm/min(Ti) , 11.3nm/min(Pt)
RF200W : 1.0nm/min(Al2O3), 0.58nm/min(TiO2)

プロセス特長

高温加熱対応

高品質な薄膜試料の作成に必要な基板面上でマイグレーションを起こすのに十分な、高温(常用700℃対応)ヒータを装備しています。

窒素ラジカル源

誘導結合型(ICP:Inductively Coupled Plasma)にてプラズマを発生させ、中性励起種(N2*、N*)のみをチャンバーへ導入する。 【例】 窒化アルミニウム(AlN)の高品質化

2インチカソード

マグネトロンスパッタ法磁気回路の工夫によりカソード投入電力≒0.1~10W/cm2実にて放電圧力0.1Pa以下を実現

【例】 ソーントンモデルに表わされる結晶構造(繊維構造、柱状構造)の作成、ドーピング (結晶の物性を変化させるために少量の不純物を添加すること。)

ヘリコン対応

誘導結合高周波プラズマ支援マグネトロンスパッタ法、イオン化を促進(スパッタ粒子エネルギーが大きくなること)させ、スパッタ膜の結晶配向性や配向強度、相(フェーズ)を変化させる。

成膜例紹介

スパッタリングによるAuエピタキシャル膜の作製とXRD, AFM, TEMによる評価

条件

作製装置 ULVAC QAM-4-S : DC Magnetron Sputtering
膜構成 MgO(001)//Cr(20nm)/Au(50nm)-anneal_1h_300℃
基板 MgO(100)単結晶基板
主な作製条件   Back Pressure P=1.0×10-5Pa
Process Pressure (Ar Pressure) PAr=1.9×10-1Pa
Cr Rate : 0.0220nm/s
Au Rate : 0.0297nm/s
熱処理 post anneal  300℃ 1hour

データ提供:東北大学 材料化学高等研究所(WPI-AIMR)共通機器室様

サンプリング価格

1サンプル(トータル時間8時間)税抜き10万円より承ります。

※成膜材料、条件により異なりますので、ご要求仕様、プロセスにより都度見積を提出いたします。予めご了承願います。

*注意点

下記内容に該当する場合は、事前に必ずお問い合せ下さい。お受けできない場合がございます。

  1. 低融点材料/再スパッタが懸念される材料
  2. 有毒性のある材料/成膜後、チャンバーベント時に大気と反応し有毒化する材料
  3. 放出ガスが多い材料/成膜前後で放出ガスがでる材料
  4. 貴金属材料の厚膜対応

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