超高温ランプアニール装置 HT-RTA59HD
赤外線イメージ炉 実験用途加熱・アニール装置熱処理・加熱装置
用途
- SiC(GaN)パワーデバイスプロセスの酸化膜形成、活性化アニールの研究・開発
- その他半導体プロセスの研究・開発
- ガラス基板、セラミックス、複合材料などの熱処理
- セラミックス材料の熱衝撃試験
- 高融点金属材料の焼結など、各種熱処理試験
- 温度勾配炉として
- ガス分析用の加熱炉として
特長
- 超高温1800℃まで10秒の加熱が可能
- 楕円反射面にハイパワーランプを搭載したスポット集光炉
- Cold Wall構造による急速加熱／冷却とクリーン加熱が可能
- 加熱炉と石英製チャンバを一体化した卓上型
- 温度レシピは、USB接続したパソコンで簡単入力
- 加熱中の温度データをパソコン画面に表示可能（テキストファイルとして保存も可能）
仕様
| 型式 | HT-RTA59HD |
|---|---|
| 温度範囲 | 室温～1800℃ （最高2000℃） |
| 試料サイズ | 角15mm × 厚1mm |
| 温度センサ | JIS B熱電対 （W-Re も対応可） |
| 所要電源 | AC 200 V 40 A 8 kW |
