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製品情報

酸化ガリウム基板

アルバック販売は、株式会社ノベルクリスタルテクノロジー社製造の酸化ガリウムのエピウエハの販売協力を開始しました。

ノベルクリスタルテクノロジー社(代表取締役   倉又朗人殿)は、 タムラ製作所からのカーブアウトベンチャーであり、NICT(情報通信研究機構)技術移転ベンチャー会社です。



用途

1.低コストでバルク単結晶の製造が可能

酸化ガリウムは、融液成長法でバルク結晶の製造を行うため、高速な成長が可能です。
気相成長法でバルク結晶を製造するGaNやSiCと比べ、基板の低コスト化が可能とされています。

2.GaNやSiCを超える高耐圧パワーデバイスの可能性

酸化ガリウムのバンドギャップは4.8~4.9 eVであり、次世代パワーデバイス候補のGaN(3.4 eV)やSiC(3.3 eV) と比べて大きな値となっています。
そのため絶縁破壊電界強度がGaNやSiCより大きいことが予測されています。
スイッチング損失を小さく保ったまま、6000 V以上の大きな耐圧を持つパワーデバイスを作製できることが期待されています。

販売製品

基板

  • Φ2インチ(-201)Snドープ/UID基板
  • Φ2インチ(001)Snドープ基板
  • 10mm×15mm(-201)Snドープ/UID基板
  • 10mm×15mm(010)Snドープ/Feドープ/UID基板

エピウエハ

  • Φ2インチエピタキシャルウエハ
  • 10mm×15mmエピタキシャルウエハ(MBE)
  • 10mm×15mmエピタキシャルウエハ(HVPE)

基板の仕様

2 inch substrates
Orientation (001)
Dopant Sn
Conductivity n-type
Nd-Na(cm-3) 1×1018~9×1018
Dimensions A-B(mm) 50.8 ±0.3
C-D(mm) 49.5 ±0.3
Thickness(mm) 0.65 ±0.02
Reference Fig.1
Offset angle (degree) [010]:0 ±1
[100]:0 ±1
FWHM (arcsec) [010]:350 or less
[100]:350 or less
Surface Front CMP
Back Grinding

Remarks

  1. These products must be used for research and development purposes only.
  2. The substrates must not be used as a seed crystal.
  3. The specifications are subject to change without notice.
  2 inch substrates 10x15 mm2 substrates
Orientation (201) (201) (201) (201) (010) (010) (010)
Dopant Sn Unintentionally-doped Sn Unintentionally-doped Sn Unintentionally-doped Fe
Conductivity n-type n-type n-type n-type n-type n-type Insulating(>1010Ω・cm)
Nd-Na (cm-3) 5×1017~9×1018 1×1017~9×1017 5×1017~9×1018 1×1017~9×1017 1×1018~9×1018 1×1017~9×1017 -
Dimensions A-B (mm) 50.8 ±0.3 50.8 ±0.3 15 ±0.3 15 ±0.3 15 ±0.3 15 ±0.3 15 ±0.3
C-D (mm) 41~49.8 41~49.8 10 ±0.3 10 ±0.3 10 ±0.3 10 ±0.3 10 ±0.3
Thickness (mm) 0.68 ±0.02 0.68 ±0.02 0.68 ±0.02 0.68 ±0.02 0.5 ±0.02 0.5 ±0.02 0.5 ±0.02
Reference Fig.1 Fig.1 Fig.2 Fig.2 Fig.3 Fig.3 Fig.3
Offset angle (degree) [010]:0 ±0.4 [010]:0 ±0.4 [010]:0 ±0.4 [010]:0 ±0.4 ⊥[102]:0 ±1 ⊥[102]:0 ±1 ⊥[102]:0 ±1
[102]:0.7 ±0.4 [102]:0.7 ±0.4 [102]:0.7 ±0.4 [102]:0.7 ±0.4 [102]:0 ±1 [102]:0 ±1 [102]:0 ±1
FWHM (arcsec) [010]:150 or less [010]:150 or less [010]:150 or less [010]:150 or less ⊥[102]:150 or less ⊥[102]:150 or less ⊥[102]:150 or less
[102]:150 or less [102]:150 or less [102]:150 or less [102]:150 or less [102]:150 or less [102]:150 or less [102]:150 or less
Surface Front CMP CMP CMP CMP CMP CMP CMP
Back Grinding Grinding Grinding Grinding Grinding Grinding Grinding

Remarks

  1. These products must be used for research and development purposes only.
  2. The substrates must not be used as a seed crystal.
  3. The specifications are subject to change without notice.

エピウエハ(MBE)仕様

Epitaxial layer (Growth method: MBE)

Property Specification
Dopant Si(n-type) Undoped (semi-insulating)
Doping concentration Specify a value in the range between
5x1016 and 2x1018 cm-3
-
Thickness Specify a value in the range between
0.1 and 0.5 μm

Cross section of Gallium oxide epitaxial wafer

Wafers

Property Specification
Dopant Si(n-type) Fe(semi-insulating)
Doping concentration 1-9x1018 cm-3 -
Resistivity - ≧1010 Ωcm
Orientation (010)
Size 10x15 mm2
Thickness 0.5 mm
XRD FWHM ≦150 arcsec
Off set angle 0°±1°

Orientation

(AlxGa1-x)2O3 epitaxial layer (Growth method: MBE)

Property Specification
Al mole fraction x≦0.23
Dopant Si(n-type)
Doping concentration ≦1x1018 cm-3
Thickness ≦60 nm

Cross section of Gallium oxide epitaxial wafer

Wafers

Property Specification
Dopant Si(n-type) Fe(semi-insulating)
Doping concentration 1-9x1018 cm-3 -
Resistivity - ≧1010 Ωcm
Orientation (010)
Size 10x15 mm
Thickness 0.5 mm
XRD FWHM ≦150 arcsec
Off set angle 0°±1°
Orientation

Remarks

  1. These products must be used for research and development purposes only.
  2. The substrates must not be used as a seed crystal.
  3. The specifications are subject to change without notice. 

エピウエハ(HVPE)仕様

Epitaxial layer (Growth method: HVPE)

Property Specification
Dopant Si(n-type)
Doping concentration Order of 1016 cm-3
Thickness 10 μm

Cross section of Gallium oxide epitaxial wafers

Wafers

Property Specification
Dopant Si(n-type)
Doping concentration 1-9x1018 cm-3
Orientation (001)
Size Φ2 inch
Thickness 0.65 mm
XRD FWHM ≦350 arcsec
Off set angle 0°±1°

Orientation

Epitaxial layer (Growth method: HVPE)

Property Specification
Dopant Si(n-type)
Doping concentration Order of 1016 cm-3
Thickness 10 μm

Cross section of Gallium oxide epitaxial wafers

Wafers

Property Specification
Dopant Si(n-type) Fe(semi-insulating)
Doping concentration 1-9x1018 cm-3 -
Resistivity - ≧1010 Ωcm
Orientation (001)
Size 10x15 mm2
Thickness 0.65 mm
XRD FWHM ≦150 arcsec
Off set angle 0°±1°

Orientation

Remarks

  1. These products must be used for research and development purposes only.
  2. The substrates must not be used as a seed crystal.
  3. The specifications are subject to change without notice. 
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