半導体製造装置向けスパッタリングターゲット
最先端薄膜材料をリードする アルバックの半導体用ターゲット材料は、
・低パーティクル
・均質な膜厚分布
・高い使用効率
を品質目標として、材料ごとに製造方法を検討して開発製造された高品質なスパッタリングターゲットです。
特長
- 最適な製造方法を採用したスパッタリングターゲット
アルバックでは半導体プロセスで要求される用途により、製造方法が異なる2種類のタング ステンターゲットを開発しました。
(1)純度が5Nグレードの製品向けの粉末焼結法を採用した安価な高密度タングステンターゲット
(2)より高い品質を要求される部位向けのCVD(気 相成長法)を採用した7Nを誇るCVDタングステンターゲット - パーティクル発生を抑制したスパッタリングターゲット
アルバックではスパッタリング時に問題とされる、パーティクルの発生を抑制したスパッタリングターゲットの開発を行ってきました。特に、アルミニウムターゲットでは精製、造塊工 程に真空溶解法を採用することにより、パーテ ィクルの発生原因の一つとなる酸素等のガス成分の低減に努めています。 - 金属組織調整による高い均質性
アルバックの高純度コバルトターゲッ卜やチタンターゲットを始めとした大半の半導体用ター
ゲットは、金属組織の微細、均質化に留意した製造プロセスを採用しています。
例えば、高純度コバルトターゲットでは金属組織の微細、均質化により、ターゲッ卜表面上の
漏洩する磁束のバラツキを最小化しています。 - 万全の品質管理体制
アルバックは、取扱製品の性状・形状を考慮した一貫製造を行っています。
各種タングステンターゲットのGDMS分析比較
（単位：PPM）
| Target | Sinter-W (5N) | CVD-W (7N) |
|---|---|---|
| Na | ≤ 0.1 | ≤ 0.01 |
| K | ≤ 0.1 | ≤ 0.01 |
| Mg | - | ≤ 0.01 |
| Ca | 0.7 | ≤ 0.01 |
| Al | ≤ 1 | ≤ 0.01 |
| Cr | ≤ 1 | ≤ 0.01 |
| Fe | ≤ 1 | ≤ 0.01 |
| Ni | ≤ 1 | ≤ 0.01 |
| Cu | ≤ 1 | ≤ 0.01 |
| Th | ≤ 0.0005 | ≤ 0.0002 |
| U | ≤ 0.0005 | ≤ 0.0002 |
| O | ≤ 100 | - |
| C | ≤ 50 | - |
半導体装置用スパッタリングターゲット材料
| 応用分野 | 材質 | 使用目的 |
|---|---|---|
| 電極材料 | W (5N) | |
| W (6N, 7N) | ||
| Co(5N) | ||
| Ni(5N) | ||
| Ti(5N) | ||
| 各種シリサイド(4N up) | ||
| 配線材料 | Al(5N, 5N5)及びAlCu等のAl合金(5N, 5N5) | |
| Cu(6N) | ||
| 化合物半導体材料 | Au, Au合金(4N) | 配線 |
| WSi(5N) | 電極 | |
| SiO2(4N,6N) | 絶縁材料 | |
| 実装配線用 | Al(5N, 5N5)及びAl合金(5N, 5N5) | 配線 |
| Cu(4N) | 配線 | |
| Cr(3N) | バリア | |
| 貴金属材料 | 配線 | |
| TiW(4N up) | バリア | |
| Ni(4N) | バリア | |
| キャパシタ材料用 | BST | DRAMキャパシタ/薄膜コンデンサ |
| PZT | FeRAM | |
| バリア材料 | Ti(4N5) | |
| TiW(4N up) |
主要300mmWafer 用ターゲット材料
| ターゲット材料 | Al-0.5mass Cu | Ti | Cu | Ta | W |
|---|---|---|---|---|---|
| 純度 | 5N5up(低 U、Th 仕様) | 4N5up | 6Nup | 6Nup(Nb、W除く) | 5N, 6N, 7N |
| バッキングプレート材質 | Al合金材もしくはCu合金 | Al合金 | Al合金 | Al合金材もしくはCu合金 | Al合金材もしくはCu合金 |
| 接合方法 | エレクトロンビーム溶接 、一体構造品もしくはメタルボンデインク | 拡散接合 | 拡散接合 | 拡散接合 | メタルボンディンク |
